Нелинейные кристаллы. Часть 3

Методы выращивания, включая горизонтальные и вертикальные, эти материалы (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) доступны с заданными стандартными размерами и ориентациями.Некоторые из них, обладающие свойствами большого нелинейного коэффициента и уникальными размерами, которые мы предоставили, широко используются в обычных системах SHG, THG, OPO, OPA среднего инфракрасного диапазона и т. д. Изделия могут поставляться с держателем из анодированного алюминия или без него.

КТП Кристалл

Арсенат титанила калия (KTiOAsO4), или кристалл KTA, является отличным нелинейным оптическим кристаллом для применения в оптических параметрических колебаниях (OPO).Он имеет лучшие нелинейно-оптические и электрооптические коэффициенты, значительно сниженное поглощение в диапазоне 2,0-5,0 мкм, широкий угловой и температурный диапазон, низкие диэлектрические проницаемости.
ZnTe Кристалл

Теллурид цинка представляет собой бинарное химическое соединение формулы ZnTe.DIEN TECH производит кристалл ZnTe с кристаллической осью <110>, который является идеальным материалом, применяемым для обеспечения импульса терагерцовой частоты посредством нелинейного оптического процесса, называемого оптическим выпрямлением, с использованием светового импульса высокой интенсивности субпикосекундной длительности.Элементы ZnTe, поставляемые DIEN TECH, не имеют двойных дефектов.
ППКТП Цисталлы

Титанилфосфат калия с периодической поляризацией (PPKTP) представляет собой сегнетоэлектрический нелинейный кристалл с уникальной структурой, которая обеспечивает эффективное преобразование частоты посредством квазисинхронизма (QPM).
Кристалл HgGa2S4

Высокие значения порога лазерного повреждения и эффективности преобразования позволяют использовать тиогаллат ртути HgGa.₂S₄(HGS) нелинейные кристаллы для удвоения частоты и ОПО/ОПА в диапазоне длин волн от 1,0 до 10 мкм.Установлено, что эффективность ГВГ CO₂лазерное излучение для HgGa длиной 4 мм₂S₄элемента составляет около 10 % (длительность импульса 30 нс, плотность мощности излучения 60 МВт/см²).Высокая эффективность преобразования и широкий диапазон настройки длины волны излучения позволяют рассчитывать на то, что этот материал может составить конкуренцию AgGaS.₂, AgGaSe₂, ЗнГеП₂и кристаллы GaSe, несмотря на значительную сложность процесса выращивания кристаллов больших размеров.