Кристаллы ГСГГ

Гранаты GGG/SGGG/NGG используются для жидкой эпитаксии. Субатраты SGGG представляют собой специальные подложки для магнитооптической пленки. В устройствах оптической связи требуется частое использование оптического изолятора 1,3u и 1,5u, его основным компонентом является пленка YIG или BIG. был помещен в магнитное поле.


  • Состав:(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
  • Кристальная структура:Кубический: а = 12,480 Å
  • Молекулярная wДиэлектрическая постоянная восемь:968 096
  • Точка плавления:~1730 оС
  • Плотность:~ 7,09 г/см3
  • Твердость:~ 7,5 (месяцев)
  • Показатель преломления:1,95
  • Диэлектрическая постоянная: 30
  • Информация о продукте

    Технические характеристики

    Гранаты GGG/SGGG/NGG используются для жидкой эпитаксии. Субатраты SGGG представляют собой специальные подложки для магнитооптической пленки. В устройствах оптической связи требуется частое использование оптического изолятора 1,3u и 1,5u, его основным компонентом является пленка YIG или BIG. был помещен в магнитное поле.
    Подложка SGGG отлично подходит для выращивания эпитаксиальных пленок висмутзамещенного железного граната, является хорошим материалом для YIG, BiYIG, GdBIG.
    Это хорошие физико-механические свойства и химическая стабильность.
    Приложения:
    YIG,БОЛЬШАЯ эпитаксионная пленка;
    микроволновые устройства;
    Запасной ГГГ

    Характеристики:

    Состав (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
    Кристальная структура Кубический: а = 12,480 Å,
    Молекулярная wДиэлектрическая проницаемостьвосемь 968 096
    Точка плавления ~1730 оС
    Плотность ~ 7,09 г/см3
    Твердость ~ 7,5 (месяцев)
    Показатель преломления 1,95
    Диэлектрическая постоянная 30
    Тангенс диэлектрических потерь (10 ГГц) ок.3,0 * 10_4
    Метод выращивания кристаллов Чохральский
    Направление роста кристаллов <111>

    Технические параметры:

    Ориентация <111> <100> в пределах ±15 угловых минут
    Искажение волнового фронта <1/4 волны @ 632
    Допуск на диаметр ±0,05 мм
    Допуск на длину ±0,2 мм
    Фаска 0,10 мм при 45°
    Плоскостность <1/10 волны на длине волны 633 нм
    Параллелизм < 30 угловых секунд
    Перпендикулярность < 15 угловых минут
    Качество поверхности 10/5 Царапать/копать
    Чистая апертура >90%
    Большие размеры кристаллов 2,8-76 мм в диаметре