Кристаллы ГГГ

Галлий-гадолиниевый гранат (Gd3Ga5O12или GGG) монокристалл — материал с хорошими оптическими, механическими и термическими свойствами, которые делают его перспективным для использования в изготовлении различных оптических компонентов, а также в качестве материала подложки для магнитооптических пленок и высокотемпературных сверхпроводников. Это лучший материал подложки для инфракрасный оптический изолятор (1,3 и 1,5 мкм), который является очень важным устройством в оптической связи.


  • Химическая формула:Gd3Ga5O12
  • Решетчатый параметр:а=12,376Å
  • Метод роста:Чохральский
  • Плотность:7,13 г/см3
  • Твердость по Моосу:8.0
  • Температура плавления:1725℃
  • Показатель преломления:1,954 при 1064 нм
  • Информация о продукте

    Технические характеристики

    Монокристалл галлий-гадолиниевого граната (Gd3Ga5O12 или GGG) представляет собой материал с хорошими оптическими, механическими и термическими свойствами, которые делают его перспективным для использования при изготовлении различных оптических компонентов, а также в качестве материала подложки для магнитооптических пленок и высокотемпературных сверхпроводников. лучший материал подложки для инфракрасного оптического изолятора (1,3 и 1,5 мкм), который является очень важным устройством в оптической связи.Он изготовлен из пленки YIG или BIG на подложке GGG плюс детали с двойным лучепреломлением.Также GGG является важной подложкой для микроволновых изоляторов и других устройств.Его физические, механические и химические свойства подходят для вышеуказанных применений.

    Основные приложения:
    Большие размеры, от 2,8 до 76 мм.
    Низкие оптические потери (<0,1%/см)
    Высокая теплопроводность (7,4Вт·м-1К-1).
    Высокий порог лазерного повреждения (>1 ГВт/см2)

    Основные свойства:

    Химическая формула Gd3Ga5O12
    Решетчатый параметр а=12,376Å
    Метод роста Чохральский
    Плотность 7,13 г/см3
    Твердость по Моосу 8.0
    Температура плавления 1725℃
    Показатель преломления 1,954 при 1064 нм

    Технические параметры:

    Ориентация [111] в пределах ±15 угловых минут
    Искажение волнового фронта <1/4 волны @ 632
    Допуск на диаметр ±0,05 мм
    Допуск на длину ±0,2 мм
    Фаска 0,10 мм при 45°
    Плоскостность <1/10 волны на длине волны 633 нм
    Параллелизм < 30 угловых секунд
    Перпендикулярность < 15 угловых минут
    Качество поверхности 10/5 Царапать/копать
    Чистая апертура >90%
    Большие размеры кристаллов 0,8-76 мм в диаметре