ZnTe Кристалл

Полупроводниковые терагерцовые кристаллы GaSe и ZnTe обладают высоким порогом лазерного повреждения и генерируют чрезвычайно короткие и качественные ТГц импульсы с использованием мощных фемтосекундных лазеров.


  • Цена ФОБ:0,5–9999 долларов США/шт.
  • Мин.Количество заказа:100 шт./шт.
  • Возможность поставки:10000 шт./шт. в месяц
  • Формула структуры:ZnTe
  • Плотность :5,633 г/см³
  • Кристаллическая ось:110
  • Информация о продукте

    Технические параметры

    Полупроводниковые кристаллы ТГц: кристаллы ZnTe (теллурида цинка) с ориентацией <110> используются для генерации ТГц с помощью процесса оптического выпрямления.Оптическое выпрямление представляет собой генерацию разностной частоты в средах с большой восприимчивостью второго порядка.Для фемтосекундных лазерных импульсов, имеющих широкую полосу пропускания, частотные составляющие взаимодействуют друг с другом, и их разница создает полосу пропускания от 0 до нескольких ТГц.Обнаружение ТГц импульса происходит посредством электрооптического обнаружения в свободном пространстве в другом кристалле ZnTe с ориентацией <110>.ТГц импульс и видимый импульс распространяются через кристалл ZnTe коллинеарно.ТГц импульс вызывает двойное лучепреломление в кристалле ZnTe, которое считывается линейно поляризованным видимым импульсом.Когда и видимый импульс, и ТГц импульс находятся в кристалле одновременно, видимая поляризация будет вращаться под действием ТГц импульса.Используя волновую пластину λ/4 и светоделительный поляризатор вместе с набором сбалансированных фотодиодов, можно отображать амплитуду ТГц импульса, отслеживая вращение поляризации видимого импульса после кристалла ZnTe при различных временах задержки по отношению к ТГц импульсу.Способность считывать полное электрическое поле, как по амплитуде, так и по задержке, является одной из привлекательных особенностей ТГц спектроскопии во временной области.ZnTe также используется для подложек ИК-оптических компонентов и вакуумного осаждения.

    Основные свойства
    Формула структуры ZnTe
    Параметры решетки а=6,1034
    Плотность 110