KD*P EO Q-переключатель

EO Q Switch изменяет состояние поляризации света, проходящего через него, когда приложенное напряжение вызывает изменения двойного лучепреломления в электрооптическом кристалле, таком как KD*P.При использовании в сочетании с поляризаторами эти ячейки могут функционировать как оптические переключатели или лазерные переключатели добротности.


  • 1/4 волнового напряжения:3,3 кВ
  • Ошибка передаваемого волнового фронта: < 1/8 волны
  • МЦР:>2000:1
  • Видеомагнитофон:>1500:1
  • Емкость:6 пФ
  • Порог урона:> 500 МВт/см2 при 1064 нм, 10 нс
  • Информация о продукте

    Технические характеристики

    EO Q Switch изменяет состояние поляризации света, проходящего через него, когда приложенное напряжение вызывает изменения двойного лучепреломления в электрооптическом кристалле, таком как KD*P.При использовании в сочетании с поляризаторами эти ячейки могут функционировать как оптические переключатели или лазерные переключатели добротности.
    Мы предоставляем Q-переключатели EO на основе передовых технологий изготовления кристаллов и нанесения покрытий. Мы можем предложить Q-переключатели EO Q с различными длинами волн, которые демонстрируют высокую пропускаемость (T>97%), высокий порог повреждения (>500 Вт/см2) и высокий коэффициент затухания. (>1000:1).
    Приложения:
    • OEM-лазерные системы
    • Медицинские/косметические лазеры
    • Универсальные лазерные платформы для исследований и разработок.
    • Военные и аэрокосмические лазерные системы

    Функции Преимущества
    Качество CCI – экономичная цена Исключительная ценность

    Самый тонкий KD*P без напряжений

    Высокий коэффициент контрастности
    Высокий порог урона
    Низкое полуволновое напряжение
    Экономия места Идеально подходит для компактных лазеров
    Керамические апертуры Чистый и очень устойчивый к повреждениям
    Высокий коэффициент контрастности Исключительная задержка
    Быстрые электрические разъемы Эффективная/надежная установка
    Ультраплоские кристаллы Отличное распространение луча
    1/4 волнового напряжения 3,3 кВ
    Ошибка передаваемого волнового фронта < 1/8 волны
    МЦР >2000:1
    видеомагнитофон >1500:1
    Емкость 6 пФ
    Порог урона > 500 МВт/см2@1064 нм, 10 нс