Кристалл HgGa2S4

Высокие значения порога лазерного повреждения и эффективности преобразования позволяют использовать тиогаллат ртути HgGa.2S4(HGS) нелинейные кристаллы для удвоения частоты и ОПО/ОПА в диапазоне длин волн от 1,0 до 10 мкм.Установлено, что эффективность ГВГ CO2лазерное излучение для HgGa длиной 4 мм2S4элемента составляет около 10 % (длительность импульса 30 нс, плотность мощности излучения 60 МВт/см2).Высокая эффективность преобразования и широкий диапазон настройки длины волны излучения позволяют рассчитывать на то, что этот материал может составить конкуренцию AgGaS.2, AgGaSe2, ЗнГеП2и кристаллы GaSe, несмотря на значительную сложность процесса выращивания кристаллов больших размеров.


  • Цена ФОБ:0,5–9999 долларов США/шт.
  • Мин.Количество заказа:100 шт./шт.
  • Возможность поставки:10000 шт./шт. в месяц
  • Диапазон прозрачности:0,55–13,00 мкм
  • Отрицательный одноосный кристалл:нет > нэ
  • Группа точек: 4
  • Твердость по Моосу:3 - 3,5
  • Плотность:4,95 г/см3
  • Энергетический разрыв,:2,34 эВ
  • Информация о продукте

    Высокие значения порога лазерного повреждения и эффективности преобразования позволяют использовать тиогаллат ртути HgGa.2S4(HGS) нелинейные кристаллы для удвоения частоты и ОПО/ОПА в диапазоне длин волн от 1,0 до 10 мкм.Установлено, что эффективность ГВГ CO2лазерное излучение для HgGa длиной 4 мм2S4элемента составляет около 10 % (длительность импульса 30 нс, плотность мощности излучения 60 МВт/см2).Высокая эффективность преобразования и широкий диапазон настройки длины волны излучения позволяют рассчитывать на то, что этот материал может составить конкуренцию AgGaS.2, AgGaSe2, ЗнГеП2и кристаллы GaSe, несмотря на значительную сложность процесса выращивания кристаллов больших размеров.
    Приложения:
    • Генерация второй гармоники на CO и CO2 - лазерах
    • Генератор другой частоты для средних инфракрасных областей.
    • Оптический параметрический генератор
    • Смешение частот в среднем ИК-диапазоне