Кристалл фосфида галлия (GaP) представляет собой инфракрасный оптический материал с хорошей поверхностной твердостью, высокой теплопроводностью и широкополосным пропусканием.Благодаря превосходным комплексным оптическим, механическим и термическим свойствам кристаллы GaP могут применяться в военных и других коммерческих высокотехнологичных областях.
Основные свойства | |
Кристальная структура | цинковая обманка |
Группа симметрии | Td2-F43м |
Количество атомов в 1 см3 | 4,94·1022 |
Коэффициент оже-рекомбинации | 10-30см6/s |
Температура Дебая | 445 К |
Плотность | 4,14 г см-3 |
Диэлектрическая проницаемость (статическая) | 11.1 |
Диэлектрическая проницаемость (высокая частота) | 9.11 |
Эффективная масса электронаml | 1.12mo |
Эффективная масса электронаmt | 0,22mo |
Эффективные массы дырокmh | 0.79mo |
Эффективные массы дырокmlp | 0,14mo |
Сродство к электрону | 3,8 эВ |
Постоянная решетки | 5,4505 А |
Оптическая фононная энергия | 0,051 |
технические параметры | |
Толщина каждого компонента | 0,002 и 3 +/-10%мм |
Ориентация | 110 — 110 |
Качество поверхности | скр-коп 40-20 — 40-20 |
Плоскостность | волны на 633 нм – 1 |
Параллелизм | угловой мин < 3 |