Зазор


  • Кристальная структура:цинковая обманка
  • Группа симметрии:Тд2-Ф43м
  • Количество атомов в 1 см3:4,94·1022
  • Коэффициент оже-рекомбинации:10-30 см6/с
  • Температура Дебая:445 К
  • Информация о продукте

    Технические параметры

    Кристалл фосфида галлия (GaP) представляет собой инфракрасный оптический материал с хорошей поверхностной твердостью, высокой теплопроводностью и широкополосным пропусканием.Благодаря превосходным комплексным оптическим, механическим и термическим свойствам кристаллы GaP могут применяться в военных и других коммерческих высокотехнологичных областях.

    Основные свойства

    Кристальная структура цинковая обманка
    Группа симметрии Td2-F43м
    Количество атомов в 1 см3 4,94·1022
    Коэффициент оже-рекомбинации 10-30см6/s
    Температура Дебая 445 К
    Плотность 4,14 г см-3
    Диэлектрическая проницаемость (статическая) 11.1
    Диэлектрическая проницаемость (высокая частота) 9.11
    Эффективная масса электронаml 1.12mo
    Эффективная масса электронаmt 0,22mo
    Эффективные массы дырокmh 0.79mo
    Эффективные массы дырокmlp 0,14mo
    Сродство к электрону 3,8 эВ
    Постоянная решетки 5,4505 А
    Оптическая фононная энергия 0,051

     

    технические параметры

    Толщина каждого компонента 0,002 и 3 +/-10%мм
    Ориентация 110 — 110
    Качество поверхности скр-коп 40-20 — 40-20
    Плоскостность волны на 633 нм – 1
    Параллелизм угловой мин < 3