Высококачественные кристаллы BGSe (BaGa4Se7) — селенидный аналог халькогенидного соединения BaGa4S7, чья ацентрическая ромбическая структура была идентифицирована в 1983 году, а об эффекте IR NLO было сообщено в 2009 году, — это недавно разработанный кристалл IR NLO.Он был получен методом Бриджмена–Стокбаргера.Этот кристалл демонстрирует высокий коэффициент пропускания в широком диапазоне 0,47–18 мкм, за исключением пика поглощения около 15 мкм.
Полуширина пиковой кривой качания (002) составляет около 0,008°, а коэффициент пропускания через полированную пластину (001) толщиной 2 мм составляет около 65% в широком диапазоне 1–14 мкм.На кристаллах были измерены различные теплофизические свойства.
Поведение при тепловом расширении в BaGa4Se7 не демонстрирует сильной анизотропии с αa=9,24×10-6 К-1, αb=10,76×10-6 К-1 и αc=11,70×10-6 К-1 вдоль трех кристаллографических осей. .Коэффициенты температуропроводности/теплопроводности, измеренные при 298 К, составляют 0,50(2) мм2 с-1/0,74(3) Вт м-1 К-1, 0,42(3) мм2 с-1/0,64(4) Вт м-1. К-1, 0,38(2) мм2 с-1/0,56(4) Вт м-1 К-1, вдоль кристаллографических осей a, b, c соответственно.
Кроме того, порог повреждения поверхности лазером был измерен и составил 557 МВт/см2 с использованием Nd:YAG-лазера (1,064 мкм) в условиях ширины импульса 5 нс, частоты 1 Гц и размера пятна D = 0,4 мм.
Кристалл BGSe (BaGa4Se7) демонстрирует порошковую генерацию второй гармоники (ГВГ), которая примерно в 2–3 раза превышает отклик AgGaS2.Порог поверхностного лазерного разрушения примерно в 3,7 раза выше, чем у кристалла AgGaS2 в идентичных условиях.
Кристалл BGSe обладает большой нелинейной восприимчивостью и может иметь широкую перспективу для практического применения в средней ИК-области спектра. Он демонстрирует интересные терагерцовые фонон-поляритоны и высокие нелинейные коэффициенты для терагерцовой генерации.
Преимущества выхода ИК-лазера:
Подходит для различных источников накачки (1-3 мкм)
Широкий настраиваемый диапазон ИК-выхода (3–18 мкм)
OPA, OPO, DFG, внутрирезонаторная/экстравативная, непрерывная/импульсная накачка
Важное примечание: поскольку это кристалл нового типа, внутри кристалла может быть несколько полос, но из-за этого дефекта мы не принимаем возврат.
